LiAlO2 Substrato

La substrato de LiAlO2 rilatas al substrato farita el litia aluminia rusto (LiAlO2).LiAlO2 estas kristala kunmetaĵo apartenanta al la spaca grupo R3m kaj havas triangulan kristalstrukturon.

LiAlO2-substratoj estis uzitaj en gamo da aplikoj, inkluzive de maldika filmkresko, epitaksaj tavoloj, kaj heterostrukturoj por elektronikaj, optoelektronikaj, kaj fotonaj aparatoj.Pro ĝiaj bonegaj fizikaj kaj kemiaj propraĵoj, ĝi estas speciale taŭga por la disvolviĝo de larĝaj bendaj duonkonduktaĵoj.

Unu el la ĉefaj aplikoj de LiAlO2-substratoj estas en la kampo de Gallium Nitrude (GaN) bazitaj aparatoj kiel ekzemple High Electron Mobility Transistor (HEMToj) kaj Lumo-Emisaj Diodoj (LEDoj).La kradmisprezento inter LiAlO2 kaj GaN estas relative malgranda, igante ĝin taŭga substrato por epitaksia kresko de GaN maldikaj filmoj.La substrato de LiAlO2 disponigas altkvalitan ŝablonon por deponado de GaN, rezultigante plibonigitan aparatan efikecon kaj fidindecon.

LiAlO2-substratoj ankaŭ estas uzitaj en aliaj kampoj kiel ekzemple la kresko de ferelektraj materialoj por memoraparatoj, la evoluo de piezoelektraj aparatoj, kaj la fabrikado de solidsubstancaj baterioj.Iliaj unikaj trajtoj, kiel ekzemple alta varmokondukteco, bona mekanika stabileco kaj malalta dielektrika konstanto, donas al ili avantaĝojn en ĉi tiuj aplikoj.

En resumo, LiAlO2-substrato rilatas al substrato farita el litia aluminia rusto.LiAlO2-substratoj estas uzitaj en diversaj aplikoj, precipe por la kresko de GaN-bazitaj aparatoj, kaj la evoluo de aliaj elektronikaj, optoelektronikaj kaj fotonaj aparatoj.Ili posedas dezirindajn fizikajn kaj kemiajn trajtojn, kiuj igas ilin taŭgaj por deponado de maldikaj filmoj kaj heterostrukturoj kaj plibonigas aparatan efikecon.